Antimoniure d'aluminium

L'antimoniure d'aluminium (AlSb) est un semi-conducteur III-V binaire, constitué d'aluminium et d'antimoine.

Antimoniure d'aluminium
__ Al     __ Sb
Identification
Nom UICPA antimoniure d'aluminium
No CAS 25152-52-7
No ECHA 100.042.410
No CE 246-667-3
Apparence cristaux cubiques noirs
Propriétés chimiques
Formule AlSb  [Isomères]
Masse molaire[1] 148,742 ± 0,001 g/mol
Al 18,14 %, Sb 81,86 %,
Propriétés physiques
fusion 1 065 °C
Masse volumique 4,26 g·cm-3
Propriétés électroniques
Bande interdite 1,58 eV (26,85 °C)
Mobilité électronique 200 cm2·V-1·s-1
Mobilité des trous 400 cm2·V-1·s-1
Propriétés optiques
Indice de réfraction 3,3
Précautions
Directive 67/548/EEC

Xn

N



Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.


Structure

L'antimoniure d'aluminium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c'est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants, imbriquées et décalées d'un vecteur (1/4;1/4;1/4), ou d'un autre point de vue, une maille cfc de l'un des constituants dont quatre des huit sites tétraédriques sont occupés par l'autre constituant. Il possède donc une géométrie tétragonale où chaque ion aluminium est lié à quatre ions antimoine, et vice-versa. Son paramètre de maille est de 0,61 nm.

Propriétés

L'antimoniure d'aluminium possède un gap indirect d'environ 1,58 eV à 300 K, alors que son « gap direct » est de 2,22 eV (distance entre le maximum de la bande de valence et le point correspondant dans la bande de conduction à la même coordonnée k).

La mobilité électronique est de 200 cm2·V-1·s-1 et celle des trous de 400 cm2·V-1·s-1 à 300 K. Son indice de réfraction est de 3,3 à 2 μm et sa constante diélectrique de 10,9 aux fréquences micro-onde[2].

Il est légèrement inflammable à cause du caractère réducteur des ions antimoniure (Sb3-). Il brûle en produisant de l'oxyde d'aluminium et du trioxyde d'antimoine.

Utilisation

L'antimoniure d'aluminium peut être allié à d'autres composés II-V pour former des composés ternaires tels que AlInSb, AlGaSb et AlAsSb.

Notes et références

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. K Seeger and E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 DOI:10.1088/0268-1242/6/4/013

Voir aussi

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