Nitrure de gallium-indium

Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, In_xGa_1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN).

Identification
Nitrure de gallium-indium

__ Ga/In __ N
Nom UICPA	Nitrure de gallium-indium
Propriétés chimiques
Formule	In_xGa_1-xN

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

LED bleu à InGaN (380–405 nm)

C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7[1].

Notes et références

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Indium gallium nitride » (voir la liste des auteurs).

(en) G. Linti, The Group13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities, Simon Aldridge and AnthonyJ. Downs.Angew. Chem (DOI 10.1002/anie.201105633)

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[1] (en) G. Linti, The Group13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities, Simon Aldridge and AnthonyJ. Downs.Angew. Chem (DOI 10.1002/anie.201105633)