Silicium-germanium

Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule Ge_xSi_1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors.

Identification
Silicium-germanium

Nom UICPA	Silicium-germanium
Propriétés chimiques
Formule	Ge_xSi_1-x
Cristallographie
Structure type	blende

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de 1 000 K) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial[1]^,[2]. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l'alimentation en électricité (en) des sondes Voyager.

Article connexe

Notes et références

(en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.
(en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.

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[1] (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.

[2] (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.