Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium

Le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique CuIn_xGa_1-xSe₂. C'est un semi-conducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS CuInSe₂ (copper indium selenide, x = 1) et de CGS CuGaSe₂ (copper gallium selenide, x = 0). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I42d (n^o  122), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de 1,02 eV pour le CIS à 1,7 eV pour le CGS[1].

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CIGS (semiconducteur)
__ Cuivre     __ Sélénium     __ Indium ou Gallium
Propriétés chimiques
Formule	CuInxGa1-xSe2
Propriétés physiques
T° fusion	990 à 1 070 °C (x = 1 à 0)
Masse volumique	≈ 5,7 g·cm-3
Propriétés électroniques
Bande interdite	1,7 eV (x = 0) à 1,0 eV (x = 1)
Cristallographie
Système cristallin	Tétragonal
Réseau de Bravais	Centré I
Classe cristalline ou groupe d’espace	(no 122) tétragonal Hermann-Mauguin : ${\displaystyle I\ {\bar {4}}\ 2\ d\,}$ Schoenflies : ${\displaystyle D_{2d}^{12}\,}$
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Ce matériau est utilisé essentiellement pour réaliser des cellules photovoltaïques à couches minces. Il présente l'avantage de pouvoir être déposé sur des surfaces flexibles afin de réaliser des panneaux solaires souples et légers.

Cellules photovoltaïques en CIGS sur support plastique.