Buffered oxide etch

Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en microfabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium SiO₂ ou de nitrure de silicium Si₃N₄.

Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium NH₄F, et d'acide fluorhydrique HF.

Utilité

Dans le cas des couches minces, l'acide fluorhydrique concentré (généralement 49 % d'eau) réagit beaucoup trop vite avec le dioxyde de silicium pour avoir un bon contrôle sur la réaction. L'utilisation du BOE permet de rendre l'acide fluorhydrique un peu moins réactif, et donc d'avoir un meilleur contrôle sur la réaction[1].

Caractéristiques

On trouve généralement dans le BOE un ratio 6:1 entre le fluorure d'ammonium et l'acide fluorhydrique. Ce type de solution est capable de graver une couche d'oxyde développé thermiquement avec un taux de 2nm par seconde, à 25 °C.

Notes et références

(en) S. Wolf et R.N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era : Volume 1 : Process Technology, 1986, 890 p. (ISBN 978-0-9616721-6-4), p. 532-533

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[Wolf-1] (en) S. Wolf et R.N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era : Volume 1 : Process Technology, 1986, 890 p. (ISBN 978-0-9616721-6-4), p. 532-533