Soitec

Soitec est une entreprise industrielle française qui conçoit et produit des matériaux semi-conducteurs.

Soitec
Création 1992
Fondateurs André-Jacques Auberton-Hervé & Jean-Michel Lamure
Forme juridique Société Anonyme (S.A.)
Action Euronext : SOI
Siège social Bernin (Isère)
 France
Direction Paul Boudre, Directeur Général
Actionnaires Public 61,17%


BPI France 11,49%
CEA Investissement 11,49%
NSIG Sunrise SARL 11,49%
Caisse des Dépôts et Consignation Entreprises et Valeurs Moyennes 2,66%
Actions auto-détenues / Actions de préférence 0,87%
Shin-Etsu Handotaï Co Ltd 0,70%
Salariés 0,13%
Activité Semi-conducteur
Produits Matériaux semi-conducteurs à base de silicium sur isolant, solutions de transfert de couches de matériaux semi-conducteurs
Effectif 1600
SIREN 384711909[1]
TVA européenne FR57384711909[2]
Site web Site officiel
Chiffre d'affaires 597 millions d'€ (2019-2020)
Résultat net 110 millions d'€ (2019-2020)

Ces matériaux sont utilisés pour la fabrication des puces qui équipent les smartphones, les tablettes, les ordinateurs, les serveurs informatiques ou les data centers. On les retrouve aussi dans les composants électroniques présents dans les automobiles, les objets connectés (internet des objets), les équipements industriels et médicaux.

Le produit phare de Soitec est le silicium sur isolant (SOI). Les matériaux produits par Soitec se présentent sous la forme de substrats (aussi appelés "wafers") : il s'agit de plaques (disques ultrafins) de 200 et 300 mm de diamètre et d'une épaisseur de moins d'1 mm, sur lesquels sont gravés puis découpés les circuits de composants électroniques.

L'entreprise emploie environ 1300 personnes dans le monde et possède des sites industriels à Bernin près de Grenoble en France et à Singapour, ainsi que des centres de R&D et des bureaux commerciaux en France, Arizona, Californie, Chine, Corée, au Japon et à Taïwan.

Historique
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Soitec a été fondée en France près de Grenoble en 1992 par André-Jacques Auberton-Hervé et Jean-Michel Lamure, deux chercheurs issus du CEA-Leti du Commissariat à l’Énergie Atomique. En 1997, ils développent la technologie Smart Cut (en) pour produire à l’échelle industrielle des plaques de silicium sur isolant (SOI), puis font construire ulterieurement en 1999 leur première unité de production à Bernin (Isère). La même année, l'entreprise entre en bourse. En 2002 , une deuxième unité de production à Bernin entre en production destinée à la fabrication des plaques de diamètre 300 mm.

En 2003, Soitec acquiert Picogiga International, spécialiste des technologies pour les matériaux semi-conducteurs composés III-V. L'entreprise débute l’ouverture à des matériaux autres que le silicium sur isolant (SOI). En 2006, Soitec acquiert Tracit Technologies, spécialiste de l’adhésion moléculaire et de l’amincissement mécano-chimique, qui permet la diversification des applications de la technologie Smart Cut. En 2008, Soitec ouvre un site de production en Asie à Singapour. En 2012, ce site accueille l’activité de recyclage de plaques SOI. En 2013, la production est arrêtée et le site est préparé à la production des nouveaux produits, FD-SOI. En 2009, Soitec acquiert la société allemande Concentrix Solar, fournisseur de systèmes photovoltaïques à concentration (CPV) : Soitec entre sur le marché de l’énergie solaire.

En 2011, Soitec acquiert Altatech Semiconductor, entreprise commercialisant des équipements pour la production de semi-conducteurs. En 2012, Soitec ouvre une usine de production de modules CPV à San Diego, en Californie, dotée d’une capacité de 140 MWc pouvant atteindre 280 MWc.

En 2013, Soitec et Sumitomo Electric signent un accord de licence portant sur la technologie Smart Cut pour développer le marché des plaques en nitrure de gallium destinées à des applications d’éclairage par LED. Un autre accord est signé par Soitec avec GT Advanced Technologies pour développer et commercialiser un équipement de production de plaques dévolues à la fabrication de LED et d’autres applications industrielles. En 2014, Samsung Electronics et STMicroelectronics signent un accord de fonderie et de licence. Il autorise Samsung à utiliser la technologie FD-SOI pour réaliser des circuits intégrés en 28 nm[3]. Cette technologie FD-SOI résulte de la coopération nouée entre Soitec, ST et le CEA-Leti[4]. Par ailleurs, la division Énergie solaire de Soitec met en service les premiers 50 % de la centrale de Touwsrivier en Afrique du Sud, dont la puissance finale doit être de 44 MWc[5]. 

En 2015, après l'arrêt d'importants projets solaires aux États-Unis, Soitec est proche du dépôt de bilan[6]. Après un changement de patron, elle effectue un recentrage stratégique sur son activité électronique et un plan de sortie des activités énergie solaire[7]. En 2015, la fonderie GlobalFoundries met en place une plate-forme technologique destinée à la fabrication des puces FD-SOI en 22 nm[8].

Activités
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Historiquement, Soitec a promu le SOI (silicon on insulator ou silicium sur isolant) pour la fabrication de puces électroniques destinées aux ordinateurs, consoles de jeux, serveurs informatiques, mais aussi à l’industrie automobile.

Sur le marché de l’électronique grand public, Soitec fabrique des matériaux destinés aux composants de radiofréquence, aux processeurs multimédia ou encore à l'électronique de puissance.

Sur le marché des wearable , Soitec commercialise des matériaux permettant de réduire la consommation d'énergie des puces, d'augmenter leur vitesse de traitement des informations et de répondre au besoin de haut débit.

Dans le domaine de l'énergie solaire, Soitec a fabriqué et fourni des systèmes photovoltaïques à concentration (CPV) de 2009 à 2015. Soitec a annoncé l'arrêt de cette activité en à la suite de l'arrêt d'importants projets de centrales. Les travaux de R&D conduits par l'entreprise pour mettre au point une nouvelle génération de cellules solaires à quatre jonctions lui avaient permis d'atteindre en un record mondial avec une cellule capable de convertir 46 % du rayonnement solaire en électricité[9].

Dans le secteur de l'éclairage, Soitec développe des substrats à base de nitrure de gallium, le matériau de base des LED. L'entreprise commercialise également de solutions d’éclairage LED destinées à des utilisations professionnelles (éclairages urbains, de bureaux et d’infrastructures de transports).

Technologies
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Soitec développe plusieurs technologies :

La technologie Smart Cut

Développée par le CEA-Leti, en collaboration avec Soitec[10], cette technologie a été brevetée[11] par le chercheur Michel Bruel.

Schéma de principe du procédé Smart Cut

Elle permet de reporter une fine couche de matériau monocristallin sur un substrat massif[12]. Cette technique de fabrication est basée sur l’implantation d’ions légers, qui crée une zone fragilisée au sein d’un matériau à une distance contrôlée de sa surface, et le collage par adhésion moléculaire[13]. Elle permet ensuite, par une activation (par exemple thermique), de provoquer la rupture du matériau implanté à une distance déterminée de la surface et le transfert d’une couche mince ainsi obtenue sur un substrat épais préalablement collé au substrat implanté[14].

Soitec utilise la technologie Smart Cut pour la production en fort volume de plaques de SOI. Par rapport au silicium brut classique, le SOI permet de diminuer significativement les pertes d’énergie dans le substrat et améliore les performances du composant dans lequel il est utilisé.

La technologie Smart Stacking

Cette technologie consiste à transférer des plaques gravées ou partiellement gravées sur d’autres matériaux. Elle est adaptable aux plaques de 150 mm à 300 mm de diamètre, et est compatible avec une grande diversité de substrats comme le silicium, le verre ou le saphir [15].

La technologie Smart Stacking est utilisée pour les capteurs d’image rétro-éclairés, dont elle accroît la sensibilité et permet de diminuer la taille des pixels, ainsi que dans les circuits radiofréquence des smartphones. Elle ouvre aussi de nouvelles perspectives à l’intégration 3D.

L’épitaxie

Soitec dispose d’une expertise en épitaxie des matériaux III-V dans les domaines suivants : épitaxie par jets moléculaires, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques et épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures. L’entreprise fabrique des plaques d’arséniure de gallium (GaAs) et de nitrure de gallium (GaN) destinées au développement et à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs composés.

Ces matériaux sont utilisés dans les appareils électroniques de radiofréquence (wifi) et haute fréquence (télécommunications mobiles, réseaux d’infrastructure, communications par satellite, réseaux de fibres optiques et détection radar), mais aussi dans la gestion de l’énergie et dans les systèmes optoélectroniques, comme les LED.

Données financières

Augmentations de capital

Soitec a procédé à plusieurs augmentations de capital :

  • La première en juillet 2011 dans le but de financer des investissements, notamment pour le développement de ses activités dans l'énergie solaire et les LED.
  • La seconde en pour contribuer au refinancement des actions OCEANE arrivant à échéance en 2014 et consolider la structure financière de l’entreprise. Par ailleurs, Soitec a procédé à une nouvelle émission d’obligations en .
  • La troisième en pour renforcer la situation financière et la position de trésorerie de Soitec, et accompagner la montée en puissance de la production industrielle des substrats FD-SOI[16],[17].
  • En 2016, une augmentation de capital de 75 millions d'euros vise à recapitaiser la société[18],[19].
  • En 2017, une augmentation de capital de 83 millions d'euros vise à financer le développement de la production industrielle des produits FD-SOI[20].

Lien externe

Notes et références
  1. Global LEI index, (base de données web), consulté le
  2. « https://amadeus.bvdinfo.com/version-2019829/ » (consulté le )
  3. Site officiel STMicroelectronics
  4. Annonce du partenariat sur Capital.fr
  5. Source BFM Business
  6. Sevim SONMEZ, « Comment Soitec a remonté la pente », L'Essor,‎ (lire en ligne, consulté le ).
  7. Histoire de SOITEC (site de Soitec)
  8. L'Essor : "L'américain GlobalFoundries opte pour la technologie de Soitec", 1er août 2015
  9. Sciences et Avenir : 46 % de la lumière convertie en électricité, record mondial pour une cellule solaire, 5 décembre 2014
  10. "Des ions et des hommes" Site de Leti 29 mars 2013
  11. Brevet n° US5374564
  12. (en) M. Bruel, « Silicon on insulator material technology », Electronics Letters, vol. 31, no 14,‎ , p. 1201 (DOI 10.1049/el:19950805, lire en ligne, consulté le )
  13. H Moriceau, F Rieutord, F Fournel et Y Le Tiec, « Overview of recent direct wafer bonding advances and applications », Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, vol. 1, no 4,‎ , p. 043004 (ISSN 2043-6262, DOI 10.1088/2043-6262/1/4/043004, lire en ligne, consulté le )
  14. (en) Raphaël Meyer, « The advanced developments of the Smart Cut™ technology : fabrication of silicon thin wafers & silicon-on-something hetero-structures », Université de Lyon (thèse),‎ (lire en ligne, consulté le )
  15. « - Soitec », sur www.soitec.com (consulté le )
  16. "Soitec : Succès de l'augmentation de capital, sursouscrite à 239%" TradingSat.com le 18 juillet 2014
  17. "Succès de l'augmentation de capital pour Soitec" Capital.fr le 18 juillet 2014
  18. SOITEC LANCE UNE AUGMENTATION DE CAPITAL D'ENVIRON 75 MILLIONS D'EUROS
  19. SOITEC : SUCCÈS DE L'AUGMENTATION DE CAPITAL, RECAPITALISATION ACHEVÉE
  20. Soitec lance une augmentation de capital de 83 millions d'euros
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