Gravure au plasma

La gravure au plasma est une technique de gravure sèche utilisée en microfabrication (microélectronique).

Description

La gravure au plasma consiste à faire subir à un échantillon (wafer) un bombardement de gaz ionisé (plasma) afin d'en retirer une ou plusieurs couches de matériaux. Cette méthode de gravure est purement physique (par opposition aux gravures chimiques), au sens où il n'y a pas de réaction chimique entre l'échantillon et le plasma, mais que ce dernier agit uniquement par effet mécanique[1].

Notes et références

Ian Cayrefourcq, Isabelle Chartier, Bertrand Demotes-Mainard, Didier Lévy et al. (préf. Bernard Bigot), Chimie et technologies de l'information, Les Ulis, EDP Sciences, 2014, 234 p. (ISBN 978-2-7598-1184-7 et 2759811840, OCLC 892624015, notice BnF n^o FRBNF44200147), p. 108 (note 7).

Voir aussi

Articles connexes

Portail des micro et nanotechnologies

Cet article est issu de Wikipedia. Le texte est sous licence Creative Commons - Attribution - Partage dans les Mêmes. Des conditions supplémentaires peuvent s'appliquer aux fichiers multimédias.

[1] Ian Cayrefourcq, Isabelle Chartier, Bertrand Demotes-Mainard, Didier Lévy et al. (préf. Bernard Bigot), Chimie et technologies de l'information, Les Ulis, EDP Sciences, 2014, 234 p. (ISBN 978-2-7598-1184-7 et 2759811840, OCLC 892624015, notice BnF n^o FRBNF44200147), p. 108 (note 7).