DDR4 SDRAM
La DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive dynamique qui succède à la DDR3 SDRAM. Elle est notamment mise en avant par les fabricants pour une consommation énergétique moindre par rapport à la version précédente. La plus basse fréquence d'horloge débute à 2 133 MHz jusqu'au niveau maximal de 3,2 GHz[Quand ?] pour une tension de 1 V.
Description
La DDR4 SDRAM, qui est connue sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec la GDDR4), est destinée à être progressivement utilisée dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l'année 2014. La finalisation des spécifications a été annoncée en 2012, alors que la démocratisation au grand public n'était initialement attendue que vers 2015.
Les modules de DDR4 sont disponibles à une fréquence d'utilisation de 1 600 MHz pour la DDR4-3200[1].
Le Samsung annonce la production en masse de ses premières barrettes DDR4[2].
Le terme anglais « DDR4 SDRAM » pour Double Data Rate 4(th) generation Synchronous Dynamic Random Access Memory, signifiant « mémoire, à accès direct, à double débit de données, de quatrième génération ». La DDR4 doit offrir des améliorations de performances tout en diminuant la consommation électrique. On passerait à des tensions comprises entre 1,2 et 1,5 V voire 1,05 V avec les versions basse consommation.
En , Samsung a réalisé une chip DRAM sur 40 nm, cela peut être considéré comme une étape importante vers le processus de développement de DDR4 SDRAM.
En , Samsung[3] annonce la réalisation d'un module mémoire DDR4 d'une capacité de 2 Gio dont les puces sont gravées en 30 nm. Ce module a une bande passante maximale de 2,133 Gbit/s et fonctionne avec une tension de 1,2 V contre 1,5 V pour les modules DDR3. Cette baisse de tension couplée avec l'introduction de la technologie Pseudo open drain (POD) qui réduit de moitié le courant électrique nécessaire à la lecture et l'écriture des données, entraîne une réduction de 40 % de la consommation du module par rapport à un module DDR3 équivalent.
Vue d'ensemble
Les premières barrettes fonctionneront selon Qimonda[4] à une fréquence de 2 133 MHz avec une tension de seulement 1,2 V contre 1,5 V pour la DDR3 et 1,8 V pour la DDR2.
En 2019, la barre des 3 GHz est franchie et la barre des 4 GHz est attendue[5].
Modules standard DDR4 JEDEC
| Nom standard[6],[7]
|
Fréquence mémoire
(MHz) |
Fréquence I/O bus
(MHz) |
Débit
(MT/s) |
Nom
|
Taux de transfert
(Mo/s) |
Timings
(CL-tRCD-tRP) |
CAS latency
(ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR4-1600J* DDR4-1600K DDR4-1600L | 200 | 800 | 1 600 | PC4-12800 | 12 800 | 10-10-10 11-11-11 12-12-12 | 12.5 13,75 15 |
| DDR4-1866L* DDR4-1866M DDR4-1866N | 233,33 | 933,33 | 1 866,67 | PC4-14900 | 14 933,33 | 12-12-12 13-13-13 14-14-14 | 12,857 13,929 15 |
| DDR4-2133N* DDR4-2133P DDR4-2133R | 266,67 | 1 066,67 | 2 133,33 | PC4-17000 | 17 066,67 | 14-14-14 15-15-15 16-16-16 | 13,125 14,063 15 |
| DDR4-2400P* DDR4-2400R DDR4-2400T |
300 | 1 200 | 2 400 | PC4-19200 | 19 200 | 15-15-15 16-16-16 17-17-17 |
12,5 13,33 14,16 15 |
| DDR4-2666T DDR4-2666U DDR4-2666V DDR4-2666W | 325 | 1 333 | 2 666 | PC4-21333 | 21 333 | 17-17-17 18-18-18 19-19-19 20-20-20 | 12,75 13,50 14,25 15 |
| DDR4-2933V DDR4-2933W DDR4-2933Y DDR4-2933AA | 366,6 | 1 466,5 | 2 933 | PC4-23466 | 23 466 | 19-19-19 20-20-20 21-21-21 22-22-22 | 12,96 13,64 14.32 15 |
| DDR4-3200W DDR4-3200AA DDR4-3200AC | 400 | 1 600 | 3 200 | PC4-25600 | 25 600 | 20-20-20 22-22-22 24-24-24 | 12,50 13,75 15 |
Notes et références
- Upgrading and Repairing PCs, Scott Mueller, 2015.
- (en) Samsung Starts Volume Production of DDR4 Memory sur eetimes.com.
- (en)Communiqué Samsung du 04/01/11.
- News Matbe.com du 26/08/2008 sur les projets de DDR4 de Qimonda.
- Voir : What do you need?, sur trustedreviews.com du 13 février 2019, consulté le 22 février 2019
- (en) « JESD79-4A – JEDEC Standard DDR4 SDRAM Novembre 2013 » [PDF], JEDEC.
- (en) « DDR4 SDRAM UDIMM Design Specification » [PDF], JEDEC.
Lien externe
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